RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
20.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4170
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link