RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
81
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
81
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1523
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link