RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
81
Wokół strony 70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
81
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1523
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link