RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4324
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link