RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3310
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link