RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,160.7
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
43
Около -65% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
26
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
2880
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link