RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
29
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
29
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
12.2
Скорость записи, Гб/сек
13.1
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2926
2443
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Сравнения RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link