RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Сравнить
Kingston 9905702-010.A00G 8GB против Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
43
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
43
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.9
Скорость записи, Гб/сек
11.1
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2792
2058
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Inmos + 256MB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link