RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.8
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
19.6
Скорость записи, Гб/сек
8.5
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
4095
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link