Kingston HX316C10F/8 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston HX316C10F/8 8GB

Причины выбрать
Kingston HX316C10F/8 8GB

Сообщить об ошибке

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 36

Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.5 14.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.8 9.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston HX316C10F/8 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 25
Скорость чтения, Гб/сек

14.7 19.5
Скорость записи, Гб/сек

9.2 17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2585 3910

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB

Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB

Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Kingston 9905625-062.A00G 8GB

Kingston 9905625-062.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB

Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston KH280C14D4/8X 8GB

Kingston KH280C14D4/8X 8GB

модули RAM