Kingston K531R8-MIN 4GB против EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Средняя оценка

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston K531R8-MIN 4GB

Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 39

Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.4 13.2

Среднее значение в тестах

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

Причины выбрать
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

9.4 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston K531R8-MIN 4GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 39
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 13.2
Скорость записи, Гб/сек

9.0 9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2445 2489

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB

Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB

A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

модули RAM