Kingston KVR533D2N4 512MB против Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR533D2N4 512MB

Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB

Сообщить об ошибке

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 75

Около -168% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.8 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.4 1,672.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 4200

Около 4.05 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR533D2N4 512MB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 28
Скорость чтения, Гб/сек

1,943.5 15.8
Скорость записи, Гб/сек

1,672.1 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 17000

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

301 2640

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB

Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB

Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905624-018.A00G 8GB

Kingston 9905624-018.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB

Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB

модули RAM