Kingston KVR533D2N4 512MB против Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR533D2N4 512MB

Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 75

Около -142% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.8 1,672.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 4200

Около 5.07 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR533D2N4 512MB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 31
Скорость чтения, Гб/сек

1,943.5 18.0
Скорость записи, Гб/сек

1,672.1 14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 21300

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

301 3497

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Kingston 9905702-135.A00G 8GB

Kingston 9905702-135.A00G 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Kingston 9905734-059.A00G 16GB

Kingston 9905734-059.A00G 16GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB

модули RAM

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM