Kingston KVR533D2N4 512MB против Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка

Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR533D2N4 512MB

Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB

Сообщить об ошибке

Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB

Причины выбрать
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 75

Около -134% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.9 1,672.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 4200

Около 5.07 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 32
Скорость чтения, Гб/сек

1,943.5 15.0
Скорость записи, Гб/сек

1,672.1 9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 21300

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

301 2524

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB

модули RAM