RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
75
Около -178% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
27
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2140
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link