RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
73
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
73
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
1724
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link