RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3004
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link