RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB против Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
53
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
53
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
10.4
Скорость записи, Гб/сек
7.2
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1676
2333
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link