RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
40
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
40
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.5
Скорость записи, Гб/сек
8.6
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2254
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link