RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.6
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2481
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link