RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
11.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2062
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link