RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
122
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
122
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
9.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
1411
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link