Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Средняя оценка

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 49

Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.9 10.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.6 8.3

Среднее значение в тестах

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 49
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 10.5
Скорость записи, Гб/сек

8.6 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2395 2374

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB

модули RAM

Samsung M393B2K70CM0-YF8 16GB

Samsung M393B2K70CM0-YF8 16GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB

Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB

Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kllisre 0000 8GB

Kllisre 0000 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB

Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB

Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

модули RAM

Kingston HX424C15FB/8 8GB

Kingston HX424C15FB/8 8GB

Kingston HX424C15FB/8 8GB

Kingston HX424C15FB/8 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

AMD R744G2606U1S 4GB

AMD R744G2606U1S 4GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Kllisre D4 8G 8GB

Kllisre D4 8G 8GB

модули RAM