RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
37
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2336
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link