RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
37
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2336
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link