RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
92
Около -268% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
20.2
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
4046
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link