RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
92
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
46
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2453
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link