RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
54
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3029
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link