Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Средняя оценка

Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 18.3

Среднее значение в тестах

Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

Причины выбрать
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 71

Около -173% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.2 1,322.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

71 26
Скорость чтения, Гб/сек

2,831.6 18.3
Скорость записи, Гб/сек

1,322.6 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

399 3303

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB

Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB

Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB

Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

модули RAM