RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
71
Около -137% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3327
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link