RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
71
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
41
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2154
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link