RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Kingston 9965640-013.A01G 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
71
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
10.1
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2065
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link