RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
71
Около -209% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2591
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link