RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 17.2
    Среднее значение в тестах
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 71
    Около -209% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    13.0 left arrow 1,322.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    71 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,831.6 left arrow 17.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,322.6 left arrow 13.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    399 left arrow 3004

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
модули RAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
модули RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
модули RAM