RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
86
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
86
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
1658
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link