RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
72
Около 1% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
72
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
1593
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link