RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3245
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link