RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
63
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3726
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link