RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
67
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
14.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
67
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.2
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
2042
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Сравнения RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link