PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB

-->

Средняя оценка

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Средняя оценка

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Сообщить об ошибке

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB

Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 38

Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.3 16.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.3 10.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 32
Скорость чтения, Гб/сек

16.7 17.3
Скорость записи, Гб/сек

10.0 14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2753 3208

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB

Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

модули RAM