RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
42
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2001
3726
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link