Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

-->

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Средняя оценка

Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 43

Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.9 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.9 9.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 28
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 20.9
Скорость записи, Гб/сек

9.3 16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2285 3835

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB

Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston 9905712-009.A00G 16GB

Kingston 9905712-009.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB

модули RAM