RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
43
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.5
Скорость записи, Гб/сек
9.3
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
2891
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link