RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.7
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
23.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
4124
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link