RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
13.0
Скорость записи, Гб/сек
7.7
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2757
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link