RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3415
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link