RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
43
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3254
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link