RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
59
Около -136% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3377
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link