RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    46 left arrow 67
    Около 31% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 15.3
    Среднее значение в тестах
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    8.2 left arrow 1,519.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 3200
    Около 6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 67
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,909.8 left arrow 15.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,519.2 left arrow 8.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    3200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    241 left arrow 2042

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
модули RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
модули RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
модули RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
модули RAM