RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2346
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link