Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 11.5

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

48 60

Около -25% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.3 2,168.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

60 48
Скорость чтения, Гб/сек

4,595.2 11.5
Скорость записи, Гб/сек

2,168.2 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

941 2453

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB

Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB

модули RAM